金沙乐场60389com

面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

——金沙乐场60389com办院方针

首页 > 科研进展

微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展

2022-11-24 微电子研究所
【字体:

语音播报

  新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强,是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一,并具有较强的空间应用前景。 

  金沙乐场60389com微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、金沙乐场60389com国家空间科学中心副研究员陈:献,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后,仍可承受2 MradSi)的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照,且综合抗辐射能力优于硅基器件四倍(图2)。上述成果证明,碳纳米管器件和电路具有超强的抗辐射能力,为下一代宇航芯片研制开辟了重要的技术路径。 

  近日,相关研究成果以Ultra-Strong Comprehensive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics为题,发表在Small上(DOI:10.1002/smll.202204537)。研究工作得到国家自然科学基金的支持。 

1.碳纳米管器件与电路的激光模拟单粒子测试结果 

2.碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力

打印 责任编辑:侯茜

© 1996 - 金沙乐场60389com 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 金沙乐场60389com 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

    电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 金沙乐场60389com 版权所有
    京ICP备05002857号-1
    京公网安备110402500047号
    网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
    电话:86 10 68597114(总机)
       86 10 68597289(总值班室)
    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • 金沙乐场60389com(集团)有限公司